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         电路保持断路状态直到复位。在这些条件下，Q3将Q4的栅源电压箝位到0V左右，从而保护了MOSFET不受过大栅极源电压的损坏。不管R5上可忽略的电压，可以看到参考电压为VS×R4/(R3+R4)。在为R3和R4选择值设定所需的断路电压时，要它们足够大，以分压器不会使电源过载。同样，尽量选择避免由于参考输入电流造成误差的值。
要在18V设定过电压断路电平，R3和R4的值分别为62kΩ和10kΩ。测试电路会产生下列结果：对D2采用TL431CLP，电路在17.94V时断路，如对D2采用ZR431CL，断路电平为18.01V。根据Q2的基射极电压不同，过电流检测机制比过电压检测的精度差一些。然而，以的电流检测放大器来替换R6和Q2，可地提高过电流检测精度。该放大器可产生与负载电流成正比的地参考电流。
         元件C1、R1、R2和Q1提供了另一种解决方案。在加电时，C1初次放电使Q1导通，从而将参考输入箝位到0V，电路断路时产生浪涌电流。然后C1通过R1和R2进行充电直到Q1终关闭，解脱参考输入的箝位，可让电路迅速对过电流响应。如C1、R1和R2的值，电路允许约400ms后浪涌电流消失。如选择其它值允许电路的负载承受任意长时间的浪涌电流。如果断路器断开，可以循环电源或按复位开关S1，将其复位。如果应用不需要浪涌保护，可简单省略C1、R1、R2和Q1，将S1连接在参考输入和0V之间即可。
         当初次对电路加电时，会发现电容、灯丝、电机及类似的负载都有较大的浪涌电流可使断路器断路，尽管其正常稳定的工作电流低于R6设定的断路电平。解决此问题的一种方法是添加电容C2，可减慢参考输入的电压变化速率。这种方法虽然简单但有一个严重的缺点，它会减慢电路对过电流故障条件的响应时间。当参考电压超过2.5V时，由于D2的输出导通，可以重新设定公式R3=[(VST/2.5)-1]×R4，以Ω表示，其中VST为所需的电源电压断路电平。例如，如果R4值为10kΩ，18V的断路电压要求R3值为62kΩ。